发布日期:2021-09-04 17:37 浏览次数:
3D-NAND:提升QLC可靠性的良方
部分用户不看好QLC固态硬盘的普遍原因就在于QLC闪存的寿命。前面也提及到,由于先天技术原理的原因,QLC颗粒的性能和可靠性确实会有所降低。但是要知道,现在是属于3D-NAND堆栈技术的时代。
以往2D-NAND闪存想要追求容量提升,就需要依靠制程工艺,提高晶体管密度,就像一个房间里,所有人都变小了,才能装得下更多人,因此那段时间NAND闪存的制程工艺一路飙升,从50nm不断升级最终发展到10nm工艺制程,不过人太多也会“喘不过气”,随着2D-NAND闪存工艺的提升,由于闪存的特性,其可靠性会随之降低。
但是有了3D-NAND堆栈,情况就变得不一样了,以三星870 QVO为例子,其采用的都是堆栈90层以上V-NAND闪存颗粒,不仅容量变得更大,可靠性也随着堆栈层数的上升而提高,因此顶配的8TB版本的寿命高达2880TBW,这意味着即便一天读写1TB的数据,也可以用上接近8年。
即便主流消费者选择的870 QVO 1TB版本,写入寿命为360TBW,一般每天日常读写40G左右,同样也能用上十几二十年,所以关于寿命的问题,目前主流的QLC固态寿命,已经可以满足大部分用户的需求。
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