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SSD核心设计(2.2.3)

发布日期:2022-10-18 14:11 浏览次数:



并行的研究:采用交织技术,外部串行,内部并行。

即使闪存架构支持交错,它们也会受到严格限制。因此,例如,同一闪存plane上的操作不能交错。这表明相同的package交错最适用于精心设计的一组相关操作,例如图2所示的多页读或写  。我们检查的三星部件支持快速内部复制操作,允许将数据复制到片上的另一个模块而不会穿过串行引脚。这种优化是有代价的:数据只能在同一个闪存plane(2048块)内复制。两个这样的副本本身可以在不同的plane上交错,结果产生与图2所示的完全交错的封装间复制相似的性能,但不要垄断串行引脚。

 

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