3D-NAND：提升QLC可靠性的良方

　　部分用户不看好QLC固态硬盘的普遍原因就在于QLC闪存的寿命。前面也提及到，由于先天技术原理的原因，QLC颗粒的性能和可靠性确实会有所降低。但是要知道，现在是属于3D-NAND堆栈技术的时代。
 

以往2D-NAND闪存想要追求容量提升，就需要依靠制程工艺，提高晶体管密度，就像一个房间里，所有人都变小了，才能装得下更多人，因此那段时间NAND闪存的制程工艺一路飙升，从50nm不断升级最终发展到10nm工艺制程，不过人太多也会“喘不过气”，随着2D-NAND闪存工艺的提升，由于闪存的特性，其可靠性会随之降低。

　　但是有了3D-NAND堆栈，情况就变得不一样了，以三星870 QVO为例子，其采用的都是堆栈90层以上V-NAND闪存颗粒，不仅容量变得更大，可靠性也随着堆栈层数的上升而提高，因此顶配的8TB版本的寿命高达2880TBW，这意味着即便一天读写1TB的数据，也可以用上接近8年。

即便主流消费者选择的870 QVO 1TB版本，写入寿命为360TBW，一般每天日常读写40G左右，同样也能用上十几二十年，所以关于寿命的问题，目前主流的QLC固态寿命，已经可以满足大部分用户的需求。