闪存芯片的接口速度也在日新月异，2016年是667 MT/s，现在是1600 MT/s，国际闪存原厂下一代闪存芯片接口将达到2400MT/s甚至更高。现在非常值得我们骄傲的是，我国自主的长江存储采用先进的Xstacking技术，在一个芯片里面把NAND存储单元和IO接口分开独立设计与加工，于2020年4月成功推出128层TLC和QLC两款产品，其接口速度达到1600MT/s，标志着我国闪存芯片的设计能力已达到世界先进水平。随着对技术创新的不断投入，我们相信国产自主的闪存芯片厂商会逐渐确立并引领世界技术创新方向，而英韧科技也已经做好了提前一步支持未来的高速接口的准备。

数字经济在蓬勃发展，作为信息基础设施的数据中心必然在未来的几年内不断对存储技术和产品提出挑战，随着QLC颗粒的应用，以及闪存芯片的不断演进，作为国际领先的SSD主控芯片厂商的英韧科技，也将继续推进技术创新，以更高性能的产品和更丰富的产品类型，满足更广泛的市场需求。